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フラッシュメモリの容量増加と寿命の関係


NANDの種類

NAND記録方式の違い

以前にフラッシュメモリの大容量化のお話をしました。
フラッシュメモリの大容量化
その際に最後の方でチラリと書いた、一部屋に何人詰め込むかという話を少し掘り下げてみます。

一般的にコンピュータはデジタルデータ処理を「0」か「1」で行うと言われます。つまり電源のONとOFFですね。
大雑把な話になりますがこれを何億と積み重ねると、文章が編集できたりゲームで遊べたりするわけです。

フラッシュメモリに格納するデータも同じで、基本的には一つのセルに電荷を入れる「OFF=0」、電荷を入れない「ON=1」として処理を行っていました。
これをSLC(シングルレベルセル)といいます。

その後、一つのセルにONとOFFの値を2つ入れることが可能になりました。
MLC(マルチレベルセル)と呼ばれます。
これによって物理的な面積は同じで容量が約2倍になりました。

それから3つの値=TLC(トリプルレベルセル)、遂には4つの値=QLC(クアッドレベルセル)まで実用化されています。

ところが、フラッシュメモリのセル(素子)には寿命があります。
一般的にはセル当たり書き換え回数は、10万回程度と言われています。
低価格で大容量のQLCのフラッシュメモリでは、一つのセルに4つの値を格納しますので、どうしても寿命は短くなってしまいます。
パソコンに使われているSSDはハードディスクのように、デフラグ処理を行わない方がよいと言われる理由の一つがこれにあたります。
但しこれらは、あくまでも書き換え回数の問題になります。データを読み出す回数は原則影響を受けませんので、お間違いのないようお願いします。

書き換えが頻繁に行われる用途ではSLC製品を使用する等、使用用途にあったフラッシュメモリをお選びいただければと思います。